起頭是老師看到了一個ram disk的產品,想要知道為甚麼可以表現的這麼好?
http://buy.yahoo.com.tw/gdsale/gdsale.asp?gdid=1234223
印象中,技嘉的iRAM老早就提出了這個概念,並且有產品報導,
但,學長說他們公司應該也有這項概念的專利?
接著,今天學長捎來一封信,指出某SSD「卡」的表現真是超乎想像
http://chinese.engadget.com/2008/12/10/video-microns-washington-pcie-prototype-ssd-card-is-wicked-qui/

因為很有趣,讓我想起了之前學弟在板上po的Intel SSD,
於是我也參與了討論

這邊總結一下
Intel X25-E效能是
Read  250MB/s  35,000 IOPS (4k)
Write 170MB/s   3,300 IOPS (4k)
Intel這邊效能的關鍵點是
Intel® Single-Level Cell (SLC) NAND Flash Memory
10 Parallel Channel Architecture with 50nm SLC ONFI 1.0 NAND

Fusion-IO ioDrive
Read 700MB/s (random 8k)
Write 550MB/s (random 8k)
over 120,000 random read/write IOPS

Micron
150000 IOPS
頻寬800 MB/s


介面感覺是他們效能之間的關鍵,
SATA2 頻寬 300MB/s
PCI-E 4x 頻寬 1GB/s

這兩款SSD的理論速度都已經達到了各自介面的七八成,
也就是說,Flash其實還可以更快!!

也就是說,我們不要再讀FTL的paper了(誤!,
要轉向到stripping和heterogeneous storage


BTW, SATA2的資料傳輸理論頻寬是300MB/s
3Gb/s指的是訊號傳遞頻率,轉換公式是
3Gb * 1000(G/M) / 8(bit/byte) * 0.8(8b10b編碼) = 300MB/s

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